¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ°¡ ¿À´Â 11¿ù 13ÀϺÎÅÍ 16ÀϱîÁö µ¶ÀÏ ¹ÀÇî¿¡¼ ¿¸®´Â ¼¼°è ÃÖ´ë ÀüÀÚ¼î ÀÏ·ºÆ®·Î´ÏÄ« 2018¿¡¼ ¿ÀÅä¸ðƼºê, °í¼º´É Àü·Â º¯È¯, »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý °ü·Ã Çõ½ÅÀûÀÎ ½ÅÁ¦Ç°À» Àü½ÃÇÏ°í, ´Ù¾çÇÑ µ¥¸ð¸¦ ¼±º¸ÀÎ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ¶ÇÇÑ Çà»ç ±â°£ Áß ¿©·¯ Æ÷·³¿¡ Âü°¡ÇØ ¹Ì·¡ ÁöÇâÀûÀÎ ±â¼ú ³í¹®À» ¹ßÇ¥ÇÑ´Ù.
ƯÈ÷, ¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â ÀÏ·ºÆ®·Î´ÏÄ« ¿ÀÅä¸ðƼºê ÄÁÆÛ·±½º¿¡ ¹ßÇ¥ÀÚ·Î ³ª¼ ÀÚµ¿Â÷ Á¦Á¶»çµéÀÇ ÀÚÀ²ÁÖÇà À̴ϼÅƼºê¸¦ °¡¼ÓÈÇÏ°Ô µÉ Çõ½ÅÀûÀÌ¸ç ¿¡³ÊÁö È¿À²ÀûÀÎ ¹ÝµµÃ¼ ¼Ö·ç¼Ç¿¡ ´ëÇÑ ³íÀǸ¦ À̲ø ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
¿Â¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ´Â Â÷·® Àü±âÈ, ÀÚÀ²ÁÖÇà, Á¶¸í±â¼ú µî ¿ÀÅä¸ðƼºê ºÐ¾ßÀÇ ¸Þ°¡Æ®·»µå¸¦ À̲ô´Â ¹ÝµµÃ¼ ¹× ¼¾½Ì ±â¼úÀ» ¼±º¸ÀδÙ.
ÀÌ¿Í ´õºÒ¾î, SiC ¼ÒÀÚ, IGBT, MOSFET, Â÷·® Àü±âÈ¿ë Àü·Â ¸ðµâ, ÷´Ü¿îÀüÀÚ Áö¿ø½Ã½ºÅÛ ¹× ÀÚÀ²ÁÖÇàÀ» À§ÇÑ À̹Ì¡, ·¹ÀÌ´õ, ¶óÀÌ´Ù, ¿¡³ÊÁö È¿À²ÀûÀÎ Àü·Â °ü¸®, Àü¹æ·ÈĹ淳»ºÎ Á¶¸í ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç Á¦¾î µîÀ» Æ÷ÇÔÇÑ ¿ÀÅä¸ðƼºê °ü·Ã ÇÙ½É ±¸¼º¿ä¼Ò¿Í ½Ã½ºÅÛ ¼Ö·ç¼ÇÀ» ¼±º¸ÀÏ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. |